某半导体芯片研发企业的因晶圆擦洗工艺技术出现含氨废污水，供水量200吨/天。废污泥里除挥发酚外还带有氟化物和微量分析高价属，除理难度系数大。地方废气标准的要挥发酚＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 废气有效成分及源于 晶圆冲洗废水处理方法（基本来源地）：含化学需氧量200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀流程污废水 ：含氢化物发生器铜、镍等天价属，pH值震荡大 CMP研磨设备废渣：含硅颗粒物及氧化还原电位 治理施工工艺方案 分为"催化发展+膜分开+折点氯化"搭配工艺技术： 预补救 ：加药系统CaCl2除氟，有效控制pH在7.5-8. 超滤膜设计 ：祛除0.01μm综上所述可吸入颗粒物 ro反渗透性和浓缩提炼 ：将挥发酚溶缩至1000mg/L以上内容 折点氯化 ：精密抑制氯添加量，将氯离子被转化为氦气 铝离子互转 ：保护巨资属未达标 之后疗效 氧化还原电位稳固＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 高价属含水量不低于在线检测限 水工业废水处理率达75% 废水生成量少40%