好项目背静 本项目处在华中地方一个著名半导体芯片手工制造各个企业，常见的生产8寸大和12寸大晶圆。现在生产量大幅提升，粉磨工艺流程引发的废容量从早先的200吨/日增添到350吨/日，增加了办理公共设施已没法充分考虑意愿，且水流水质监测不稳定性高，急待扩改和改进废水外理办理系統。 废水处理工艺组成及源头 该的企业精磨电镀废水其主要存在以上流程： 生物机戒磨研(CMP)废气：含有二钝化硅、钝化铝等磨研颗料，颗粒直径在0.1-1μm条件 晶圆后边研磨机废水处理：带有硅粉、不锈钢铁离子(铜、铝等)及极少量有机肥料添加图片剂 切开磨研污水：常见有效成分为炭化硅颗粒肥料和割切油保湿乳液 废污水性能表现形式为：pH值下降大(2-11)、漂浮物盐浓度高(500-2000mg/L)、包含进样器巨资属和难吸附生物碳物，COD一般 在200-500mg/L比率。 处理方法流程步骤 经重复小试和中试，决定性确实选取这治理工学艺： 调接池 ：安装pH优酷云探测和自动的加量设计，将工业废水pH增强在6.5-7.5范围之内 混凝土沉积 ：加药系统聚合反响氯化铝(PAC)和阴阴阳离子型pe塑料酰胺(PAM)，搅拌反响后进入斜板析出池 溶气气浮 ：适用有些离交柱式溶气气浮，进步除去猫瘟科粒和溶液成分 多媒质滤过 ：运用石英晶体砂+渗透性炭两极滤出，确认出液SS<10mg/L 膜补救机系统 ：涉及到反渗入膜(UF)和反渗入(RO)多级，RO浓水专门进行处理 污水净化处理 ：沉定和和气气浮淤泥经板框压滤后运输正确处理 关健技术参数指标：混疑第一阶段G值把握在60-80s⁻¹，不起作用时15min；气浮回到比30%，止步时20min；反渗透设备性膜通量60LMH，反渗透设备性环保再生资源回再回收率75%。 进而实际效果 设计使用不稳定性后，留水水环境仍然达到了《智能电子重工业水被环境有害特性排污规范》(GB39731-2020)特备排污允许值特殊要求，核心招生指标如下所示： SS<5mg/L(除去率>99%) COD<30mg/L(快速清理率>93%) 铜阴离子<0.3mg/L 出液造纸废水处理率做到65%综上所述 活性污泥减少40% compared to原新工艺 本次目总投资费用约1200万余元，执行价格约8.5元/吨水，去年可少电镀废水直接消费量上涨5亿吨，再利用水材料4亿吨，划算经济收益和自然环境经济收益差异性。